IT之家 5 月 5 日消息，根据 Reddit 网友 @FernandoRocker 的发现，Sony（索尼）近期已在美国市场将 PlayStation 5 Slim 游戏主机的 Certified Refurbished 版本（IT之家注：即所谓的“官翻版”） 价格上调了 100 美元 （现汇率约合 684 元人民币）。 调价后“官翻版”的 PS5 Slim 数字版价格为 499.99 美元、PS5 Slim 光驱版则是 549.99 美元。仅有少量库存的原始 PS5 光驱版则保持在 399.99 美元。 IT之家注意到， 索尼近期分两次在多个市场调整了全新 PlayStation 5 主机的定价 ，其中国行起步价升至 3999 元人民币。 相关阅读： 《 4 月 2 日起，索尼 PS5 全球范围涨价至少 100 美元 》 《 索尼 PlayStation 公布 PS5 / PS5 Pro 游戏主机国行新定价，4 月 2 日起适用 》 《 索尼 PS5 港版 5 月 1 日涨价至 4257~4730 港币，Pro 版 6502 港币 》
IT之家 5 月 4 日消息，据 TrendForce 今天报道，铠侠、闪迪将在 6 月 14-18 日参加 VLSI Symposium 研讨会，届时将同步展出多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存，向突破 1000 层 3D NAND 迈进。 据报道，闪迪和铠侠已经提前展示了 MSA-CBA（IT之家注：多层堆叠单元阵列-CMOS 键合）器件架构图，还带有两块 218 字线阵列晶圆形成的堆叠单元阵列的 FIB-SEM 图像。 值得注意的是，铠侠早在 2024 年就提出了 1000 层 3D NAND 路线图。根据日媒 PC Watch 的说法，铠侠预计到 2027 年， NAND 闪存密度有望达到 100 Gbit / mm² ， 同时实现 1000 字线 3D NAND 。 而三星电子虽然也规划过 1000 层 NAND 路线，但最终选择更稳健的策略。该公司曾在旧金山国际固态电路大会（ISSCC）展示 multi-BV NAND 概念，通过将两块晶圆堆叠在两块外围晶圆上，实现 1000 层扩展，整体思路与铠侠的方案高度相似。
IT之家 5 月 3 日消息，存储巨头美光科技（Micron）第二财季创下了营收、毛利率、每股收益和自由现金流的多项纪录。 美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在接受 CNBC 采访时指出，当前的 AI 浪潮仅处于“早期阶段”，随着 AI 智能体的崛起，更高速、更大容量的存储已成为支撑 AI 发挥全部能力的战略资产。 他表示，随着推理端迎来拐点，Token 生成需求的扩大对内存速度和容量提出了极高要求。然而目前存储行业正面临供应极其紧张的局面，且产能提升并非易事。 AI 确实处在非常早期的阶段，你们刚刚在 GTC 大会上已经看到了 AI 领域有多么大的进步。内存是一项战略资产，为了让 AI 能够发挥其全部能力，你需要更多的内存、需要性能更快的内存。这是一个推理的拐点。随着推理应用的扩大，对 Token 的需求会随之提升，而这些 Token 需要高速处理，这就需要更多的内存、需要更快的内存，才能释放内存的全部潜力。 他还指出，问题不在于需求或定价，而在于供应商根本无法解决的产能问题，且展望未来，情况也不会有所好转。“目前内存供应非常紧张，而且供应无法轻易跟上，这些都能在我们的业绩中看到。” 美光预测，AI 对 DRAM 和 NAND 的需求预计将在今年超过行业总市场规模（TAM）的 50%。 在技术进展方面，美光正积极应对 GPU 领域对 HBM 标准的迭代需求。公司正为英伟达的 Vera Rubin 平台供应 HBM4 36GB（12 层堆叠）DRAM 样品，并预计其现有 HBM3 工艺的良率将趋于成熟，下一代 HBM4E 内存则计划于明年量产。 在移动与服务器端，LPDDR 因其能效优势成为大规模部署的首选。IT之家注意到，美光近期展示了容量高达 256GB 的 LPCAMM2 模块，并正为英伟达的 Groq 3 LPX 提供 DDR5 内存供应。 尽管企业端需求火爆，但消费电子市场前景不容乐观。美光预计，受供应受限和价格上涨影响，个人电脑（PC）和移动设备的销量将出现低双位数的下滑。不过，美光也强调，对于在本地运行 AI 智能体工作流的 PC 而言，32GB 已成为主流配置选择。 梅赫罗特拉总结道，在 AI 时代，内存已成为客户的战略资产，美光正通过投资全球制造足迹来满足日益增长的需求，并预计第三财季将再次刷新多项业绩纪录。
IT之家 4 月 29 日消息，集邦咨询 Trendforce 昨日（4 月 28 日）发布博文，报道称三星退出 LPDDR4、LPDDR4X 和 MLC NAND 等存储业务后， 旺宏电子（Macronix）等存储厂商获得补位机会。 IT之家援引博文介绍，三星近期退出低端 NAND 和 DRAM 业务，把产能转向利润更高的 LPDDR5/X 与高端 NAND 市场。 受此影响，入门级平台所需的 LPDDR4、LPDDR4X、MLC NAND 供应短暂收紧，旺宏电子等存储厂商开始接住空出的订单。 MLC NAND 是一种每个存储单元保存 2 bit 数据的 NAND Flash。相比 SLC NAND，MLC NAND 单位容量成本更低，但写入寿命和可靠性弱一些；相比 TLC、QLC，它的耐用性通常更好，适合对成本、容量和寿命都有要求的设备。 2026 年第 1 季度旺宏电子的 MLC NAND 收入占比从 21% 升至 30%，环比增长 90%，同比增长 382%。 这意味着三星停产 MLC NAND Flash 后，客户快速转向仍保留成熟产品线的供应商。 与此同时，旺宏电子的 NOR Flash 收入占比降至 58%，但 NAND 相关业务增速更快。据《工商时报》消息，旺宏电子是 4Gb 至 32Gb 容量段的重要供应商，强需求还带动 eMMC 收入环比升至 94%，同比接近 40 倍。对低成本设备来说，这类容量足以覆盖路由器、机顶盒、工控设备和入门级终端。 供应紧张也推高价格。NAND Flash 仍处在供给偏紧状态，旺宏电子已上调 SLC NAND 和 NOR Flash 产品价格。 业内预计，到 2026 年第 2 季度，NOR 与 SLC NAND 合约价可能上涨 100%。对下游厂商来说，成熟存储不再只是低价配件，而会直接影响整机成本。 NOR Flash 是一种支持随机读取的非易失性存储器，断电后仍能保存数据。它的读取延迟低，适合存放启动代码、固件和设备配置，因此常用于路由器、汽车电子、工控设备和物联网终端。 从产能规划看，旺宏电子目前量产 96 层 3D NAND，192 层 NAND 已接近就绪，300 层以上产品仍在开发。相比三星等大厂把产线投向 AI 服务器所需的高端 DRAM 和 NAND，旺宏电子等厂商反而在成熟市场获得空间。 三星 MLC NAND 相关配图 相关阅读： 《 旺宏：eMMC 严重供不应求，2026Q1 相关营收超去年 40 倍 》
IT之家 4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。 NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片 实现了 10¹⁴ 循环耐久 ， 读写延迟＜10ns ， 85℃ 下数据保持时间＞1s （IT之家注：这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍）。 NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。 相关阅读： 《 类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层 》
IT之家 4 月 24 日消息，Omdia 英国当地时间 23 日发布最新预测，认为 今年全球半导体收入将接近 1.4 万亿美元 ，整体同比增幅达到 62.7%。 存储器仍将是 2026 年最为火热的市场，机构认为 当前的供应瓶颈要到 2027 年中后期才会出现实质性的缓解 。该机构认为今年 DRAM 内存市场规模将接近翻倍，而 NAND 闪存领域更是有可能达到 2025 年的 4 倍。 此外，计算与数据存储细分领域也将实现 90% 的同比增长，总规模突破 7000 亿美元。与此同时，尽管智能手机出货量会下降，但由于单价的大幅攀升，这部分带来的半导体收入也将增长。 ▲ 图源：Omdia Omdia 高级首席分析师 Myson Robles-Bruce 表示： 人工智能应用已超越简单的问答场景，这一发展趋势使对内存和处理集成电路的需求呈指数级增长，从而推动了半导体行业整体营收的增长。 但目前仍存在诸多疑问：供应商能否迅速扩大产能并提升供应量？从长远来看，哪些应用能带来足够的投资回报，以证明当前在人工智能领域的资本支出是合理的？ 参考 Omdia raises 2026 semiconductor forecast to 62.7% as AI drives global memory crunch
IT之家 4 月 23 日消息，佰维存储 (BIWIN) 昨日宣布推出工业宽温级 eMMC 嵌入式存储新品 TGE408。该型号基于本土 NAND 闪存颗粒，搭配佰维自研主控芯片和自研固件算法， 实现了全流程本土化 。 TGE408 采用 FBGA 153 Ball 封装设计，遵循 eMMC 5.1 协议并支持 HS400 高速模式， 可在 -40℃ ~ +85℃ 宽温域内稳定工作 ，顺序读取速率至高可达 330MB/s、顺序写入速率至高可达 220MB/s。 这款 eMMC 提供 pSLC 和标准 TLC 双版本 。前者搭载佰维 Win-pSLC 固件技术，可选 8GB / 16GB 写入耐久达到 10 万次 P/E 循环；后者可选 64GB / 128GB，写入耐久达到 3000 次 P/E。
IT之家 4 月 17 日消息，韩媒 the bell 当地时间本月 14 日报道称， 三星电子有望时隔 5 年向 NAND 闪存新产能大幅度投资 ，计划在平泽 P5 晶圆厂中建设一条 NAND 生产线。 三星电子自 2022 年投产的平泽 P3 后就没有在 NAND 方面进行重大投资，存储器业务的精力主要放在了 DRAM 端。当前 NAND 市场供显著小于求，推高了产品定价；且随着 AI 产业的发展，客户对高性能大容量 SSD 的需求还将进一步提升。 平泽 P5 是一座 3 层的大型晶圆厂，每层拥有 2 个洁净室，因此总共有 6 个阶段 (PH)。 三星电子考虑将 P5 的一个 PH 用于 NAND 制造 ；P5 PH1 则将服务于 1c nm DRAM 工艺。报道提到，三星电子还有意在 P5 附近再建设一座相同结构的 6 阶段大型晶圆厂。
IT之家 4 月 12 日消息，彭博社马克 · 古尔曼（Mark Gurman）在其最新一期《Power On》中还提到了另外两件事，一是折叠屏 iPhone 仍按计划在 9 月亮相，并将与 iPhone 18 Pro 系列机型同步或紧随其后开售。此事IT之家已有多次报道。 除此之外，2018 年从谷歌跳槽空降到苹果的前 AI 负责人约翰 · 詹南德雷亚（John Giannandrea）确认将于本周正式结束其在苹果的“休整期”。古尔曼指出，自 2025 年 3 月苹果决定大幅削减其 AI 职责以来，他的离职就已然注定。 这一人事变动主要源于 Apple Intelligence 未能达到预期、升级版 Siri 多次延期，以及公司在生成式 AI 领域被打了个措手不及。当时，苹果直接撤销了他对 Siri、机器人及其他 AI 团队的监管权。 去年 12 月，苹果正式确认詹南德雷亚将于 2026 年退休，同时苹果将其所剩余的职责 —— 包括苹果的基础模型、AI 测试及其他多项职能 —— 分拆给软件负责人克雷格 · 费德里吉（Craig Federighi）、服务负责人埃迪 · 库伊（Eddy Cue）和运营负责人萨比赫 · 汗（Sabih Khan）。 自那以后，詹南德雷亚一直处于“顾问”状态，也就是科技公司常见的“坐等股权归属”（resting and vesting）—— 虽然名字仍继续留在工资单上，但基本处于无所事事的状态，一心只等股票激励生效（归属期满）后离职。 据消息人士透露，苹果下一个股票归属日期是 4 月 15 日，詹南德雷亚在苹果的最后几天确实就在本周。 古尔曼预计他经历了在苹果的八年动荡任期后，不会立即跳槽到另一家科技公司，而是加入一些公司的董事会，并在初创企业领域从事顾问工作。 古尔曼指出，苹果目前所面临问题的关键或许不在于库克懂不懂招聘，而在于苹果更像一个小型家族企业 —— 如果你不在核心圈子（进入这个圈子几乎不可能）里，你根本就没有足够的权力在公司推动真正的变革。 相关阅读： 《 谷歌搜索与人工智能部门主管 Giannandrea 将入职苹果 》
4月23日，SK海力士在财报中表示，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，公司预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。截至2026财年第一季度末，该公司现金及现金等价物环比增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元。（界面）