IT之家 4 月 30 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍，其中在存储器业务部分提到， 计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存 。 三星电子设备解决方案 (DS) 部存储器业务代表在电话会议上表示， 一季度 DRAM ASP （平均销售价格） 增长超过 90%、NAND ASP 增幅也接近 90% 。该企业预计今年 HBM 内存销售额将同比增长 3 倍，从 Q3 开始 HBM4 将占到 HBM 整体收入的一半以上。 在晶圆代工部分，该企业 Q1 成功赢得了大型光通信组件公司的订单，奠定了硅光子 (SiPh) 业务的基础；下半年将启动 2nm 第二代移动产品的产能爬坡，加速扩展 4nm 内存产品、4nm LPU 的产能。 对于美国泰勒项目 ， 1 号晶圆厂年内产能爬坡 、 2027 年量产 ，2 号晶圆厂计划正在审议。 此外，三星显示下半年将通过具备差异化技术的旗舰产品以及 8.6 代 IT OLED 的量产 推动营收增长。
IT之家 4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议，会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作，计划 2026H2 开始供应样品。 SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片 ，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。 SK 海力士代表认为谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术的设计意图是提升内存应用效率而不是减少内存用量。随着 AI 服务变得更加普及， 内存需求还会进一步增加 ；而 AI 服务的多样化也将推动 存储半导体的进一步分层 。 在闪存端，该企业目标在 2026 年将超过一半的韩国本土产能转换为 V9 NAND，从 176 层 V7 到 321 层 V9 的跨越式进步 将大幅提升 NAND 生产效率 。 SK 海力士未来的产能扩充重心是逐步推进的龙仁半导体集群， 目前没有其它的晶圆厂建设或收购计划 ，但其同时表示将灵活应对全球内存需求的中长期增长。
IT之家 4 月 22 日消息，集邦咨询 Trendforce 今天（4 月 22 日）发布博文，报道称 SK 海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂， 投资约 38.7 亿美元（IT之家注：现汇率约合 264.57 亿元人民币），计划 2028 年下半年投产，主要生产第七代和第八代 HBM（HBM4E 和 HBM5）。 消息称该工厂主要满足 AI 算力对高带宽内存的激增需求，以生产第七代 HBM4E 和第八代 HBM5 为主。SK 海力士已于 4 月 17 日通知当地社区启动地基打桩作业，预计持续数月，2026 年下半年进入主体建筑施工阶段。 除美国扩张外，SK 海力士同步加码韩国本土产能。公司计划投资约 19 万亿韩元在清州建设下一代先进封装工厂（P&T7），预计 2027 年底完工。DRAM 产能扩张也在加速推进，清州 M15X 工厂将于 3 月四期洁净室启用后安装设备，龙仁半导体集群首座工厂洁净室计划 2027 年 2 月完工。
IT之家 4 月 16 日消息，韩媒 ChosunBiz 当地时间今晨报道称， 三星电子计划在 5 月生产首批性能可满足客户要求的 HBM4E 内存样品 ，为 2027~2028 年的供应打下基础。 三星电子在今年早些时候的 NVIDIA 英伟达 GTC 2026 上公开展示了 HBM4E 内存，可实现 16Gbps 的每 Pin 数据传输速率，整体带宽达 4.0TB/s。不过业内人士认为那时的样品仅是用于展示三星电子技术实力的演示样品。 与 HBM4 一样，三星电子的 HBM4E 将采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die，不过工艺细节将有所改进。 三星晶圆代工计划在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能样品 Base Die 的生产 ，交付存储器业务以进行后续 3D 封装工序。
据报道，SK海力士表示，计划今年下半年向客户提供HBM4E样品，目标是在2027年实现HBM4E量产。该公司称，预计未来三年来自客户的HBM需求将远超过公司的HBM产能。（界面）