IT之家 5 月 1 日消息，三星官方正式确认停产 LPDDR4 与 LPDDR4X 内存， 将产能全面转向 LPDDR5、LPDDR5X 及 HBM 等 AI 急需的高利润技术 。 在本月初相关爆料流出后 ，三星官网已正式将 LPDDR4 和 LPDDR4X 内存标准标注为停产。 AI 需求正带来惊人的利润增长。三星 2026 年第一季度利润同比飙升约 50 倍，SK 海力士与美光也创下营收纪录。这直观反映出 AI 对内存的巨大消耗量，高带宽内存成为市场核心驱动力。 尽管三星计划积极扩大 DRAM 产能，但供应仍严重不足。三星内存芯片业务高管 Kim Jaejune 表示，目前供应远无法满足客户需求。仅根据已收到的订单，2027 年供需缺口将比 2026 年进一步扩大。 IT之家此前报道，对于普通消费者来说，在内存超级周期的大背景下，入门手机本来就首当其冲， 而三星升级 LPDDR5 系列，让入门手机市场“雪上加霜”，进一步推高消费者选购价格。 三星自家移动部门也被迫采购 LPDDR5，计划升级低端 Exynos 芯片组，意味着 Galaxy A17 等入门手机也将配备 LPDDR5 内存，虽然获得了更快的带宽速度， 但硬件成本的上升，对于消费者而言，可能需要支付更高费用。
IT之家 4 月 30 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍，其中在存储器业务部分提到， 计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存 。 三星电子设备解决方案 (DS) 部存储器业务代表在电话会议上表示， 一季度 DRAM ASP （平均销售价格） 增长超过 90%、NAND ASP 增幅也接近 90% 。该企业预计今年 HBM 内存销售额将同比增长 3 倍，从 Q3 开始 HBM4 将占到 HBM 整体收入的一半以上。 在晶圆代工部分，该企业 Q1 成功赢得了大型光通信组件公司的订单，奠定了硅光子 (SiPh) 业务的基础；下半年将启动 2nm 第二代移动产品的产能爬坡，加速扩展 4nm 内存产品、4nm LPU 的产能。 对于美国泰勒项目 ， 1 号晶圆厂年内产能爬坡 、 2027 年量产 ，2 号晶圆厂计划正在审议。 此外，三星显示下半年将通过具备差异化技术的旗舰产品以及 8.6 代 IT OLED 的量产 推动营收增长。
IT之家 4 月 24 日消息，软银集团旗下子公司 SAIMEMORY 正与英特尔合作开发 ZAM 内存。 SAIMEMORY 称日本新能源产业技术综合开发机构已选定该技术开发项目作为政府补贴对象，补贴可能覆盖该项目绝大部分研发成本。另外，该项目已经入选 NEDO 的后 5G 基础设施强化研发计划。 ZAM 是一种面向 AI 内存技术的潜在下一代替代方案，它在结构上对传统 DRAM 进行了重新设计。与 HBM 采用的常规堆叠键合方式不同，ZAM 提出了一种垂直内存架构，采用不同的空间排布以及非接触式层间互连，从而通过减少物理约束改善散热特性。SAIMEMORY 称，与传统 HBM 相比，该设计可带来更高的有效密度、更大带宽，功耗降低约 40%。 该技术源于美国政府支持的研究项目、英特尔内部研发以及软银在 AI 基础设施领域的布局。英特尔开发了关键的 DRAM 堆叠与键合技术，为 ZAM 奠定了基础。软银于 2024 年成立 SAIMEMORY，推动这一架构走向商业化，将业务延伸至内存领域而非依赖现有供应商。英特尔作为技术合作伙伴参与其中，理化学研究所负责评估与系统级集成。 现代 AI 工作负载对处理器与内存间的数据吞吐量要求极高。当前标准解决方案 HBM 虽然是垂直堆叠并与处理器紧密集成的 DRAM 形态，但存在制造成本高、依赖精确裸片堆叠与键合工艺、供应集中于少数厂商等短板。如果 ZAM 技术取得成功，有望在一个体量庞大且快速增长的市场中与 HBM 直接竞争，降低 AI 数据中心的功耗从而节省大量成本，并通过更具可扩展性的制造方式缓解供应瓶颈。 IT之家提醒，该技术目前仍处于早期原型阶段。另外，历史上众多“下一代”内存概念均止步于实验室演示阶段，因此执行层面仍存在较大不确定性。 获得 NEDO 支持的该项目预计执行周期约为 3.5 年，SAIMEMORY 计划在 2027 财年前投入约 80 亿日元（IT之家注：现汇率约合 3.43 亿元人民币）用于开发可工作的原型产品，长期目标是到 2029 年左右建立量产能力。 这意味着 ZAM 将被定位为真正意义上的下一代内存产品，而非现有 HBM 方案的直接替代品。在此期间，现有 DRAM 厂商将继续通过提高堆叠层数和改善能效来推动 HBM 演进。 相关阅读： 《 英特尔 ZAM 内存原型首秀：功耗暴降 50%，单芯片 512GB 》 《 软银旗下 SAIMEMORY 与英特尔签署正式协议，携手推动 ZAM 内存商用化 》
IT之家 4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议，会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作，计划 2026H2 开始供应样品。 SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片 ，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。 SK 海力士代表认为谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术的设计意图是提升内存应用效率而不是减少内存用量。随着 AI 服务变得更加普及， 内存需求还会进一步增加 ；而 AI 服务的多样化也将推动 存储半导体的进一步分层 。 在闪存端，该企业目标在 2026 年将超过一半的韩国本土产能转换为 V9 NAND，从 176 层 V7 到 321 层 V9 的跨越式进步 将大幅提升 NAND 生产效率 。 SK 海力士未来的产能扩充重心是逐步推进的龙仁半导体集群， 目前没有其它的晶圆厂建设或收购计划 ，但其同时表示将灵活应对全球内存需求的中长期增长。
IT之家 4 月 22 日消息，SK 海力士当地时间今日在韩国忠清北道清州市举行了先进封装设施 P&T7 的奠基仪式，这座总投资 19 万亿韩元 （IT之家注：现汇率约合 882.17 亿元人民币） 、占地面积 23 万平方米的大型后端工厂 将专注于制造 HBM 等 AI 存储器产品 。 P&T7 总洁净室面积约为 15 万平方米 ，其中三层共 6 万平方米为 WLP（晶圆级封装）生产线，目标 2027 年 10 月完工；七层共 9 万平方米为 WT（晶圆测试）生产线，预计 2028 年 2 月完工。 这座大型设施在建设施工阶段平均每天有 320 名工人，高峰时段将有多达 9000 名工人被派驻现场；完工后，P&T7 仍将驻扎约 3000 名工作人员。
IT之家 4 月 22 日消息，集邦咨询 Trendforce 今天（4 月 22 日）发布博文，报道称 SK 海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂， 投资约 38.7 亿美元（IT之家注：现汇率约合 264.57 亿元人民币），计划 2028 年下半年投产，主要生产第七代和第八代 HBM（HBM4E 和 HBM5）。 消息称该工厂主要满足 AI 算力对高带宽内存的激增需求，以生产第七代 HBM4E 和第八代 HBM5 为主。SK 海力士已于 4 月 17 日通知当地社区启动地基打桩作业，预计持续数月，2026 年下半年进入主体建筑施工阶段。 除美国扩张外，SK 海力士同步加码韩国本土产能。公司计划投资约 19 万亿韩元在清州建设下一代先进封装工厂（P&T7），预计 2027 年底完工。DRAM 产能扩张也在加速推进，清州 M15X 工厂将于 3 月四期洁净室启用后安装设备，龙仁半导体集群首座工厂洁净室计划 2027 年 2 月完工。
IT之家 4 月 20 日消息，三星晶圆代工设计解决方案合作伙伴 GAONCHIPS 上周宣布其完成了 1ASIC + 4HBM 异构集成的技术验证，为首款 2.5D 先进封装产品的今年夏季量产打下了基础。 IT之家了解到， GAONCHIPS 测试芯片采用了三星电子的 I-Cube S 技术 。这一方案类似台积电的 CoWoS，应用了硅中介层 (Si Interposer) 结构。GAONCHIPS 与三星电子一道实现了 I-Cube S 的初始设计定义、封装实现、电气验证。 ▲ I-Cube S 示意图 相较于台积电的 CoWoS 和英特尔的 EMIB，三星晶圆代工的 2.5D 集成技术在市场上的热度相对较低。更多的生态参与者有望提升 I-Cube 的吸引力，在 CoWoS 产能紧缺的当下打造一个切实可行的替代选项。
IT之家 4 月 18 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 17 日）发布博文，报道称三星电子为应对 AI 市场需求激增，并匹配英伟达等主要客户每年推出新 AI 加速器的节奏， 将高带宽内存（HBM）开发周期从 2 年大幅缩短至 1 年。 消息称三星电子战略调整高带宽内存（HBM）业务，为确保每年都能推出新一代 HBM 标准，放弃沿用多年的 2 年产品迭代周期，转而采用 1 年开发周期。 IT之家注：HBM 是 AI 加速器的核心组件，三星作为该领域的关键供应商，目前最新产品为 HBM3E，下一代 HBM4 预计今年随英伟达 Vera Rubin 及 AMD Instinct MI400 平台一同推出。 行业分析师认为，1 年周期能帮助三星在与美光、SK 海力士的竞争中巩固技术优势，避免在快速迭代的 AI 内存市场掉队。 同时，这也将助力三星在未来的定制化 HBM5 市场获得领先地位，满足全球科技巨头缩短开发周期、优化供应链的需求。 缩短开发周期的关键，在于三星公司的全产业链掌控能力，为加速迭代提供了坚实基础，内部完成从基础裸片生产、内存堆叠到封装的全流程，并已拥有适配其 HBM 业务的理想基础裸片解决方案。
IT之家 4 月 16 日消息，韩媒 ChosunBiz 当地时间今晨报道称， 三星电子计划在 5 月生产首批性能可满足客户要求的 HBM4E 内存样品 ，为 2027~2028 年的供应打下基础。 三星电子在今年早些时候的 NVIDIA 英伟达 GTC 2026 上公开展示了 HBM4E 内存，可实现 16Gbps 的每 Pin 数据传输速率，整体带宽达 4.0TB/s。不过业内人士认为那时的样品仅是用于展示三星电子技术实力的演示样品。 与 HBM4 一样，三星电子的 HBM4E 将采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die，不过工艺细节将有所改进。 三星晶圆代工计划在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能样品 Base Die 的生产 ，交付存储器业务以进行后续 3D 封装工序。
据报道，SK海力士表示，计划今年下半年向客户提供HBM4E样品，目标是在2027年实现HBM4E量产。该公司称，预计未来三年来自客户的HBM需求将远超过公司的HBM产能。（界面）
长江证券电子行业资深分析师蔡少东表示：“HBM （高带宽内存）这个新的产品在过去三年其实完成了10倍以上的增长，我们可以看到2025年整个市场规模是在350亿美元，预计2027到2028年整个市场应该会突破1000亿美元。”“我们自己的判断是，在二季度合约的价格，有希望环比上涨30%到50%，有一些部分可能会比这更高。在下半年三四季度，整个存储的合约价涨幅会趋于收敛。” （央视财经）
作者 | 乔钰杰 编辑 | 袁斯来 近期，深圳远见智存科技有限公司发布其HBM3/3e高带宽存储芯片产品，提供12GB与24GB两种容量规格，带宽达819GB/s，对标JEDEC国际标准体系。 远见智存HBM3/3e产品规格（图源/企业） HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储）被视为当前AI算力体系中的关键组件之一。在大模型规模持续扩大、训练与推理负载提升的背景下，算力芯片与内存带宽之间的瓶颈问题愈发突出，业内通常将其称为“内存墙”。 HBM通过多层DRAM裸片堆叠及TSV（硅通孔）互连，实现较传统DDR更高的带宽与单位面积容量，已成为AI加速器与高性能计算系统的主流配置之一。据YOLE预测，2026年全球HBM市场规模将突破460亿美元，2030年有望接近1000亿美元，年复合增长率约33%。 此前，全球HBM市场长期由SK海力士、三星、美光三家厂商主导，占据超过95%的市场份额。 近年来，中国HBM相关产业链技术实力显著提升，市场普遍认为的多项瓶颈正在逐步突破，在这一背景下，远见智存的产品推进可视为国内厂商在HBM领域的重要阶段性进展。 此次发布的HBM3/3e产品，采用1024bit数据总线设计，相较DDR5的64bit接口实现数量级提升。产品具备两大差异化优势：其一，通过优化核心电路电压域设计，整体功耗降低20%；其二，采用TSV冗余性布局和可修复性设计，芯片制造良率提升约8%，可实现同等产能下节省近十分之一的晶圆成本。 远见智存HBM3/3e产品优势（图源/企业） 团队方面，远见智存成立于2023年，专注于高带宽存储芯片（HBM），创始团队自2016年前后即开始参与上一代HBM技术研发，是最早一批进入该领域的工程团队之一 。目前公司在国内设有多个研发中心，团队成员包括来自美光、尔必达等存储厂商的工程师，具备一定国际化背景。 业务模式上，公司采用“芯片设计+晶圆代工+封装测试”的Fabless模式，整套供应链均由中国供应商配套完成。值得注意的是，当前，国内存储芯片设计公司仍以传统DRAM为主，高端HBM领域参与者相对有限。 在此背景下，远见智存的HBM产品设计已覆盖从DRAM Die到Base Die的完整链路，且完整持有相关逻辑与存储部分的知识产权，核心研发设计能力较为突出。 应用侧，公司当前HBM3/3e产品已可应用于AI全产业的训练与推理场景。随着AI算力需求外溢，HBM也开始向车载计算、边缘设备等场景探索。目前远见智存已着手进行面向汽车车载、移动穿戴、具身智能及无人设备等场景的定制化开发，未来，低功耗、高可靠性、小容量高带宽等多元化产品将逐步落地。 从技术演进看，HBM仍在快速迭代。公司披露的产品演进路线显示，2027年将推出定制版HBM及HBM+HBF融合架构，面向大模型推理提供TB级容量方案；2028年计划推出HBM4/4e，单颗带宽提升至2.5TB/s；2029年规划推出HBM5及存内计算产品，探索“计算靠近数据”的架构方向。 远见智存 产品规划路线图（图源/企业）