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www.ithome.com · 2026-05-04 18:16:56+08:00 · tech

IT之家 5 月 4 日消息,韩媒 ETNEWS 当地时间 3 日报道称,三星电子晶圆代工业务 近期就 8 英寸碳化硅 (SiC) 生产线建设的重启与材料、组件、设备合作伙伴展开磋商 ,有消息传出相关讨论已深入到设备导入规模。 三星晶圆代工将化合物半导体视为未来增长点之一;同时,将现有 8 英寸硅 (Si) 晶圆厂改造为碳化硅 (SiC) / 氮化镓 (GaN) 晶圆厂在节省前期建设成本的同时也可提升产能利用率。 三星电子设备解决方案 (DS) 部在 SiC 领域的布局始于 2023 年。不过由于整体市场一度低迷、主抓存储器业务等原因,其商业化一度停滞。但在 AI 产业激活功率半导体市场后,三星电子恢复了 SiC 项目的推进。 消息人士预计, 三星晶圆代工有望在 2027 年建成一条 SiC 原型生产试点线,并于 2028 年实现量产 。 相关阅读: 《 氮化镓 (GaN) 领域台积电退三星电子进:后者 8 英寸产线最早 2026Q2 投产 》

www.ithome.com · 2026-04-28 22:14:27+08:00 · tech

IT之家 4 月 28 日消息,据韩媒 The Elec 今天报道,ASML 可能正在研发晶圆对晶圆(Wafer to Wafer,W2W)混合键合设备。 据报道,仁荷大学制造创新研究生院教授 Joo Seung-hwan 在首尔的先进封装技术会议表示, 从 ASML 申请的专利来看 , 公司似乎正在将其核心光刻平台 Twinscan 应用于 W2W 混合键合设备 。 作为参考, Twinscan 是 ASML 的旗舰光刻平台 ,首次出货于 2001 年。其拥有两个晶圆台模块,第一个晶圆台可进行曝光,通过光刻形成电路图案;第二个晶圆台则可以同时装载、对准并准备下一块晶圆,大幅度缩短晶圆制造时间。 而 W2W 混合键合则是一种先进封装技术,可直接键合(IT之家注:指通过物理或化学作用将两个及以上材料表面紧密连接为一体的工艺技术)两片半导体晶圆。进而缩短互连长度,降低功耗和热量,同时提升数据传输速度。 该教授在会议中强调,韩国厂商需要为 W2W 混合键合技术做好准备。近期受西门子、韩华精密机械和韩美半导体等公司主要集中在晶粒对晶圆(D2W)键合机。 他指出,D2W 仅占整体混合键合市场的一小部分,韩国厂商应积极探索进入更大、更具战略意义的 W2W 市场。

www.ithome.com · 2026-04-25 09:25:39+08:00 · tech

IT之家 4 月 25 日消息,韩媒 The Elec 昨日(4 月 24 日)发布博文, 报道称三星已成功生产出采用 4F Square 单元结构与 VCT 技术的 10a DRAM 晶圆,并在测试中确认了功能性芯片,计划于 2028 年量产。 这一突破标志着业界首次在 DRAM 生产中引入 4F Square 单元结构与垂直通道晶体管(VCT)工艺。 IT之家注:4F Square 是一种先进的 DRAM 单元结构设计,其中“F”代表光刻工艺的最小特征尺寸。该结构将每个存储单元置于 2F×2F 的面积内,相比传统的 6F Square 设计,能在相同的芯片面积内容纳更多单元,从而显著提升存储密度,是实现 DRAM 高密度微缩的关键技术路径。 而 VCT 全称为 Vertical Channel Transistor,直译为垂直通道晶体管,是一种创新的晶体管结构设计,通过将晶体管的通道方向由水平改为垂直,让电荷存储电容可以直接堆叠在晶体管上方。这种立体结构有效缩短了单元间距,打破了传统平面结构的微缩瓶颈,是实现 4F Square 高密度单元的基础。 图源:三星 10a 工艺被视为 DRAM 进入 10nm 以下节点的首代技术,其实际电路线宽约为 9.5 至 9.7nm。相比当前主流的 6F Square 设计,4F Square 结构将每个单元置于 2F×2F 的面积内,能在相同芯片面积下将单元密度提升约 30% 至 50%。 新技术面临的主要挑战是材料变革。通道材料为降低漏电流并提升数据保持能力,已从硅转变为铟镓锌氧化物(IGZO)。此外,三星原计划用钼(Mo)替代氮化钛(TiN)作为字线材料(指用于制作存储器中字线的导电材料),但因钼具有腐蚀性且固态处理困难,需对气体输送系统进行改造,目前该材料仍在评估中。

www.ithome.com · 2026-04-22 21:45:58+08:00 · tech

IT之家 4 月 22 日消息,韩媒 edaily 当地时间 21 日报道称,三星电子存储器业务在削减 GDDR6 内存 / 显存产能以提升盈利能力的同时大幅提升了在该品类上对 Tesla(特斯拉)的供应规模。这可能会对显卡市场造成新一轮的打击。 特斯拉的 GDDR6 需求主要来自其电动汽车车载娱乐系统和智能驾驶系统。报道指出 该企业 1 月要求三星电子将 GDDR6 的供应量提升到原定水平的 5 倍以上 。三星电子本月起扩大了向特斯拉分配的 8Gb GDDR6 Die 产能, 当前出货速度是 Q1 的 4 倍 。 如果特斯拉分得更多三星 GDDR6 产能,势必会挤占显卡的 GDDR6 供应,从而加剧当前市场的紧张态势。

www.ithome.com · 2026-04-18 13:39:52+08:00 · tech

IT之家 4 月 18 日消息,韩媒 The Elec 昨日(4 月 17 日)发布博文,报道称三星停止生产 LPDDR4 和 LPDDR4X 内存芯片, 将资源全面转向利润更高的 LPDDR5 和 LPDDR5X。 IT之家援引博文介绍,对于目前已确定的旧订单,三星将会继续履行生产 ,但后续不再接收新的 LPDDR4 出货请求,要求客户转向新标准。 该媒体指出三星此举对供应链产生连锁反应,让高通、联发科等芯片制造商必须调整产品规划。而对于普通消费者来说,在内存超级周期的大背景下,入门手机本来就首当其冲, 而三星升级 LPDDR5 系列,让入门手机市场“雪上加霜”,进一步推高消费者选购价格。 三星自家移动部门也被迫采购 LPDDR5,计划升级低端 Exynos 芯片组,意味着 Galaxy A17 等入门手机也将配备 LPDDR5 内存, 虽然获得了更快的带宽速度,但硬件成本的上升极有可能转嫁给消费者。

www.ithome.com · 2026-04-17 14:23:39+08:00 · tech

IT之家 4 月 17 日消息,韩媒 the bell 当地时间本月 14 日报道称, 三星电子有望时隔 5 年向 NAND 闪存新产能大幅度投资 ,计划在平泽 P5 晶圆厂中建设一条 NAND 生产线。 三星电子自 2022 年投产的平泽 P3 后就没有在 NAND 方面进行重大投资,存储器业务的精力主要放在了 DRAM 端。当前 NAND 市场供显著小于求,推高了产品定价;且随着 AI 产业的发展,客户对高性能大容量 SSD 的需求还将进一步提升。 平泽 P5 是一座 3 层的大型晶圆厂,每层拥有 2 个洁净室,因此总共有 6 个阶段 (PH)。 三星电子考虑将 P5 的一个 PH 用于 NAND 制造 ;P5 PH1 则将服务于 1c nm DRAM 工艺。报道提到,三星电子还有意在 P5 附近再建设一座相同结构的 6 阶段大型晶圆厂。

www.ithome.com · 2026-04-17 07:19:00+08:00 · tech

IT之家 4 月 17 日消息,韩媒 ETNews 昨日(4 月 16 日)发布博文, 报道称苹果 iPhone 18 Pro 系列核心影像组件可变光圈致动器已进入量产阶段。 IT之家援引 ET News 供应链消息, 中国舜宇光学已启动生产致动器,LG Innotech 也在韩国龟尾工厂部署专用设备,为大规模量产做准备。 可变光圈堪称 iPhone 影像系统近年来最重要的硬件升级。传统手机镜头光圈固定,进光量无法物理调节。 可变光圈通过致动器移动镜头组件,物理改变孔径大小,让用户能精准控制景深。强光场景下缩小光圈可避免过曝,暗光环境下则开大光圈提升进光量,无需依赖算法补偿。 对于用户实际体验而言,在日常拍摄时相机不再仅靠计算摄影算法模拟,而是获得真实的光学虚化效果。 供应链分工方面,LG Innotech 曾为 iPhone 15 Pro Max 独家供应四重反射棱镜长焦模组,此次负责可变光圈系统的研发与量产准备。舜宇光学与立讯精密则参与致动器制造,目前舜宇已开工,立讯进度尚未明确。 iPhone 18 Pro 系列预计 2026 年 9 月发布,可变光圈将成为核心卖点。另有传闻称该系列可能缩小灵动岛区域,但具体落地时间存在 2026 年与 2027 年两种说法。 相关阅读: 《 消息称大立光电婉拒苹果加单,iPhone 18 Pro / Max 可变光圈镜头由舜宇光学主供 》 《 苹果 iPhone 18 Pro / Pro Max 手机升级要点前瞻:灵动岛缩小、可变光圈,A20 Pro 芯片配 C2 基带 》 《 消息称受苹果 iPhone 18 Pro 传闻影响,三星计划为 Galaxy S27 系列手机带回可变光圈摄像头 》 《 苹果 iPhone 18 Pro 渲染视频曝光:单打孔、可变光圈 》

www.ithome.com · 2026-04-16 10:44:48+08:00 · tech

IT之家 4 月 16 日消息,韩媒 ChosunBiz 当地时间今晨报道称, 三星电子计划在 5 月生产首批性能可满足客户要求的 HBM4E 内存样品 ,为 2027~2028 年的供应打下基础。 三星电子在今年早些时候的 NVIDIA 英伟达 GTC 2026 上公开展示了 HBM4E 内存,可实现 16Gbps 的每 Pin 数据传输速率,整体带宽达 4.0TB/s。不过业内人士认为那时的样品仅是用于展示三星电子技术实力的演示样品。 与 HBM4 一样,三星电子的 HBM4E 将采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die,不过工艺细节将有所改进。 三星晶圆代工计划在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能样品 Base Die 的生产 ,交付存储器业务以进行后续 3D 封装工序。

www.ithome.com · 2026-04-15 17:38:04+08:00 · tech

IT之家 4 月 15 日消息,韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称, 苹果将于 2027 年上半年推出 OLED 版 iPad Air ,业界认为发布时间将落在 3 月或 5 月。这意味着 iPad 产品线未来将仅有标准数字系列仍采用 LCD 显示面板。 ▲ 近期推出的 M4 款 iPad Air,采用 LCD 屏幕 IT之家了解到,OLED 版 iPad Air 搭载的 OLED 面板 将采用单发光层、LTPS TFT 驱动、混合基板设计 ,旨在降低制造成本,便于设备普及,也有助避免重蹈 OLED 版 iPad Pro“曲高和寡”的覆辙。作为零部件供应商,三星显示计划在今年底或 2027 年 1 月启动该 OLED 面板的量产。