IT之家 5 月 6 日消息，群晖科技 (Synology) 今日宣布推出两款新一代全闪存阵列企业级存储机架式服务器 FS6420 和 FS3420。这两个型号均采用 2U 高度外形规格，提供 24 个盘位。 FS6420 读写 IOPS 分别可达 929K 和 257K，较上代提升 40% 和 26%；FS3420 读写 IOPS 则分别可达 478K 和 169K，较上代提升 21% 和 32%。 FS6420 和 FS3420 标配双 10GbE 接口，SMB 读取吞吐量提升超过 60%，支持选配 25GbE 或 Fibre Channel 扩充卡。同时其配备冗余电源，支持带外管理，拥有一系列企业级场景适用特性。
IT之家 5 月 4 日消息，据 TrendForce 今天报道，铠侠、闪迪将在 6 月 14-18 日参加 VLSI Symposium 研讨会，届时将同步展出多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存，向突破 1000 层 3D NAND 迈进。 据报道，闪迪和铠侠已经提前展示了 MSA-CBA（IT之家注：多层堆叠单元阵列-CMOS 键合）器件架构图，还带有两块 218 字线阵列晶圆形成的堆叠单元阵列的 FIB-SEM 图像。 值得注意的是，铠侠早在 2024 年就提出了 1000 层 3D NAND 路线图。根据日媒 PC Watch 的说法，铠侠预计到 2027 年， NAND 闪存密度有望达到 100 Gbit / mm² ， 同时实现 1000 字线 3D NAND 。 而三星电子虽然也规划过 1000 层 NAND 路线，但最终选择更稳健的策略。该公司曾在旧金山国际固态电路大会（ISSCC）展示 multi-BV NAND 概念，通过将两块晶圆堆叠在两块外围晶圆上，实现 1000 层扩展，整体思路与铠侠的方案高度相似。
IT之家 5 月 3 日消息，存储巨头美光科技（Micron）第二财季创下了营收、毛利率、每股收益和自由现金流的多项纪录。 美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在接受 CNBC 采访时指出，当前的 AI 浪潮仅处于“早期阶段”，随着 AI 智能体的崛起，更高速、更大容量的存储已成为支撑 AI 发挥全部能力的战略资产。 他表示，随着推理端迎来拐点，Token 生成需求的扩大对内存速度和容量提出了极高要求。然而目前存储行业正面临供应极其紧张的局面，且产能提升并非易事。 AI 确实处在非常早期的阶段，你们刚刚在 GTC 大会上已经看到了 AI 领域有多么大的进步。内存是一项战略资产，为了让 AI 能够发挥其全部能力，你需要更多的内存、需要性能更快的内存。这是一个推理的拐点。随着推理应用的扩大，对 Token 的需求会随之提升，而这些 Token 需要高速处理，这就需要更多的内存、需要更快的内存，才能释放内存的全部潜力。 他还指出，问题不在于需求或定价，而在于供应商根本无法解决的产能问题，且展望未来，情况也不会有所好转。“目前内存供应非常紧张，而且供应无法轻易跟上，这些都能在我们的业绩中看到。” 美光预测，AI 对 DRAM 和 NAND 的需求预计将在今年超过行业总市场规模（TAM）的 50%。 在技术进展方面，美光正积极应对 GPU 领域对 HBM 标准的迭代需求。公司正为英伟达的 Vera Rubin 平台供应 HBM4 36GB（12 层堆叠）DRAM 样品，并预计其现有 HBM3 工艺的良率将趋于成熟，下一代 HBM4E 内存则计划于明年量产。 在移动与服务器端，LPDDR 因其能效优势成为大规模部署的首选。IT之家注意到，美光近期展示了容量高达 256GB 的 LPCAMM2 模块，并正为英伟达的 Groq 3 LPX 提供 DDR5 内存供应。 尽管企业端需求火爆，但消费电子市场前景不容乐观。美光预计，受供应受限和价格上涨影响，个人电脑（PC）和移动设备的销量将出现低双位数的下滑。不过，美光也强调，对于在本地运行 AI 智能体工作流的 PC 而言，32GB 已成为主流配置选择。 梅赫罗特拉总结道，在 AI 时代，内存已成为客户的战略资产，美光正通过投资全球制造足迹来满足日益增长的需求，并预计第三财季将再次刷新多项业绩纪录。
IT之家 4 月 29 日消息，据 JP 摩根分析，苹果公司目前正面临来自存储供应链的前所未有成本压力，到 2027 年（明年）， iPhone 中存储器（RAM 内存与闪存）的成本占比可能从当前的 10% 飙升至 45% ，成为整机成本控制中最关键的部分之一。 如今，由于业界发力 AI 云基础设施，导致消费电子厂商的供应空间被直接挤压，行业规则正在大幅改变。作为比较，过去供应链中手机厂商先向供应商承诺采购量，再根据采购量谈价格，如今则变成厂商之间“拼资金锁产能”。对于苹果来说，其议价能力正在被削弱，不得不与 AI 企业及其他友商正面竞争为数不多的存储资源。 同时，供应链压力已经开始反映到产品策略上。此前有消息称，苹果计划对 iPhone 18 系列采用“分批发布”策略，其中 Pro 及 Fold 折叠仍按惯例在今年 9 月推出，而入门款 iPhone 18/18e 则推迟至明年春季发布，从而优化供应分配。 分析人士认为，当下苹果正面临两难选择，要么提高产品售价，将成本转嫁给消费者；要么自行消化成本，以维持市场竞争力，这一决策将直接影响其市场份额表现。 业内普遍预计，苹果有更大概率选择“保份额”，即牺牲自身部分利润以维持销量增长 。
IT之家 4 月 17 日消息，韩媒 the bell 当地时间本月 14 日报道称， 三星电子有望时隔 5 年向 NAND 闪存新产能大幅度投资 ，计划在平泽 P5 晶圆厂中建设一条 NAND 生产线。 三星电子自 2022 年投产的平泽 P3 后就没有在 NAND 方面进行重大投资，存储器业务的精力主要放在了 DRAM 端。当前 NAND 市场供显著小于求，推高了产品定价；且随着 AI 产业的发展，客户对高性能大容量 SSD 的需求还将进一步提升。 平泽 P5 是一座 3 层的大型晶圆厂，每层拥有 2 个洁净室，因此总共有 6 个阶段 (PH)。 三星电子考虑将 P5 的一个 PH 用于 NAND 制造 ；P5 PH1 则将服务于 1c nm DRAM 工艺。报道提到，三星电子还有意在 P5 附近再建设一座相同结构的 6 阶段大型晶圆厂。
IT之家 4 月 16 日消息，消息源 yeux1122 昨日（4 月 15 日）发布博文，爆料称三星计划在部分 Galaxy S27 系列机型上， 引入 UFS 5.0 存储，接口速率达 10.8GB/s，性能媲美 PCIe NVMe Gen 5 标准。 IT之家查询公开资料， 三星 Galaxy S26 全系标配 UFS 4.1 闪存，在延续 UFS 4.0 最高 4.2GB/s 峰值读写速度的基础上，引入 WriteBooster 技术和优化碎片整理，配合 AI 优化，文件复制速度提升约 36%，应用安装速度提升约 50%。 根据 JEDEC 标准显示， UFS 5.0 闪存芯片可提供最高 10.8GB/s 的传输速率 ，这一水平已逼近桌面级 PCIe NVMe Gen 5 标准。对于智能手机而言，这意味着 AI 模型加载、大文件传输、应用启动等场景将获得质的飞跃。 三星此前曾计划在 2027 年前后推出 UFS 5.0，重心仍放在 UFS 4.0 的优化上。但随着 AI 手机竞争加剧，时间表明显提速。若研发顺利，Galaxy S27 Ultra 将成为首款搭载该标准的量产机型，为端侧 AI 运算提供更强硬件支撑。
4月23日，SK海力士在财报中表示，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，公司预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。截至2026财年第一季度末，该公司现金及现金等价物环比增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元。（界面）