IT之家 5 月 4 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 3 日报道称，三星电子晶圆代工业务 近期就 8 英寸碳化硅 (SiC) 生产线建设的重启与材料、组件、设备合作伙伴展开磋商 ，有消息传出相关讨论已深入到设备导入规模。 三星晶圆代工将化合物半导体视为未来增长点之一；同时，将现有 8 英寸硅 (Si) 晶圆厂改造为碳化硅 (SiC) / 氮化镓 (GaN) 晶圆厂在节省前期建设成本的同时也可提升产能利用率。 三星电子设备解决方案 (DS) 部在 SiC 领域的布局始于 2023 年。不过由于整体市场一度低迷、主抓存储器业务等原因，其商业化一度停滞。但在 AI 产业激活功率半导体市场后，三星电子恢复了 SiC 项目的推进。 消息人士预计， 三星晶圆代工有望在 2027 年建成一条 SiC 原型生产试点线，并于 2028 年实现量产 。 相关阅读： 《 氮化镓 (GaN) 领域台积电退三星电子进：后者 8 英寸产线最早 2026Q2 投产 》
IT之家 4 月 25 日消息，onsemi（安森美）与吉利汽车集团今日宣布，双方已达成更广泛的全球战略合作。此次合作将 进一步深化安森美先进碳化硅技术 EliteSiC 在吉利浩瀚-S 超级电混架构中的集成 。 在本次合作框架下，吉利展示了 SEP 浩瀚超级电混系统。该系统电驱核心采用了安森美 EliteSiC 功率技术， 支持 900V 高压架构 ，可实现更快的加速性能、更长的续航里程，以及显著缩短的充电时间。 安森美的功率器件凭借更高的功率密度支持在更小、更轻量化的系统中集成更强性能，从而改善整车动态性能并优化车内空间。同时，增强的热性能有助于车辆在高负载工况下保持稳定输出，提升长期可靠性。 安森美总裁兼首席执行官 Hassane El‑Khoury 表示： 电动车市场正进入一个由更高电压架构和日益复杂的系统所驱动的新阶段。我们与吉利扩大的合作，体现了整车厂与半导体合作伙伴正在更紧密、更早期地开展协作，以共同塑造关键的整车设计决策。通过携手合作，我们正在赋能电动车实现更高的能效和性能。 吉利汽车集团首席执行官 CEO 淦家阅表示： 随着电气化战略的推进，我们与技术合作伙伴之间更紧密的协同变得愈发关键。将安森美技术广泛集成至我们的浩瀚超级电混系统，正是双方深化合作的具体体现。安森美作为关键的系统级合作伙伴，使我们在平台设计与工程执行层面实现了更紧密的协同，从而支持我们向全球客户交付高性能、高能效的电动汽车。
IT之家 4 月 21 日消息，日本半导体制造商 ROHM（罗姆）今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代， 新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30% 。 罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 罗姆 计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC MOSFET 的分立器件和模块的样品 。未来，ROHM 将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。