IT之家 4 月 29 日消息，集邦咨询 Trendforce 昨日（4 月 28 日）发布博文，报道称三星退出 LPDDR4、LPDDR4X 和 MLC NAND 等存储业务后， 旺宏电子（Macronix）等存储厂商获得补位机会。 IT之家援引博文介绍，三星近期退出低端 NAND 和 DRAM 业务，把产能转向利润更高的 LPDDR5/X 与高端 NAND 市场。 受此影响，入门级平台所需的 LPDDR4、LPDDR4X、MLC NAND 供应短暂收紧，旺宏电子等存储厂商开始接住空出的订单。 MLC NAND 是一种每个存储单元保存 2 bit 数据的 NAND Flash。相比 SLC NAND，MLC NAND 单位容量成本更低，但写入寿命和可靠性弱一些；相比 TLC、QLC，它的耐用性通常更好，适合对成本、容量和寿命都有要求的设备。 2026 年第 1 季度旺宏电子的 MLC NAND 收入占比从 21% 升至 30%，环比增长 90%，同比增长 382%。 这意味着三星停产 MLC NAND Flash 后，客户快速转向仍保留成熟产品线的供应商。 与此同时，旺宏电子的 NOR Flash 收入占比降至 58%，但 NAND 相关业务增速更快。据《工商时报》消息，旺宏电子是 4Gb 至 32Gb 容量段的重要供应商，强需求还带动 eMMC 收入环比升至 94%，同比接近 40 倍。对低成本设备来说，这类容量足以覆盖路由器、机顶盒、工控设备和入门级终端。 供应紧张也推高价格。NAND Flash 仍处在供给偏紧状态，旺宏电子已上调 SLC NAND 和 NOR Flash 产品价格。 业内预计，到 2026 年第 2 季度，NOR 与 SLC NAND 合约价可能上涨 100%。对下游厂商来说，成熟存储不再只是低价配件，而会直接影响整机成本。 NOR Flash 是一种支持随机读取的非易失性存储器，断电后仍能保存数据。它的读取延迟低，适合存放启动代码、固件和设备配置，因此常用于路由器、汽车电子、工控设备和物联网终端。 从产能规划看，旺宏电子目前量产 96 层 3D NAND，192 层 NAND 已接近就绪，300 层以上产品仍在开发。相比三星等大厂把产线投向 AI 服务器所需的高端 DRAM 和 NAND，旺宏电子等厂商反而在成熟市场获得空间。 三星 MLC NAND 相关配图 相关阅读： 《 旺宏：eMMC 严重供不应求，2026Q1 相关营收超去年 40 倍 》
IT之家 4 月 21 日消息，据 Korea JoongAng Daily 报道，人工智能芯片超级周期为韩国两大存储芯片制造商带来了巨额利润，SK 海力士员工今年人均奖金或将达到约 7 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 325.9 万元人民币），明年更是有望接近 13 亿韩元（现汇率约合 605.1 万元人民币）。与此同时，三星电子工会拒绝了管理层的薪酬方案，威胁将于 5 月 21 日至 6 月 7 日举行总罢工。 SK 海力士已于去年 9 月取消原有的奖金上限，承诺将年度营业利润的 10% 直接作为绩效奖金发放给员工。分析师预计，该公司 2026 年营业利润约为 250 万亿韩元（现汇率约合 1.16 万亿元人民币），据此计算，25 万亿韩元的奖金池将由约 3.5 万名员工分享。据悉，公司今年 2 月已向员工发放人均约 1.4 亿韩元（现汇率约合 65.2 万元人民币）的利润分红。 三星的情况则没有这么乐观，围绕利润分配比例的争议持续发酵。工会要求将营业利润的 15% 用于员工分红，市场分析师预计三星今年营业利润约为 298 万亿韩元（现汇率约合 1.39 万亿元人民币）。若按此比例，仅半导体部门 7.7 万名员工，人均即可获得约 5.8 亿韩元（现汇率约合 270 万元人民币）奖金。 三星管理层提出效仿 SK 海力士，拿出 10% 的利润作为分红，但该方案遭工会拒绝。工会计划于 4 月 23 日在三星平泽芯片工厂举行大规模集会。三星电子已于上周四向法院申请禁令，要求阻止罢工期间所谓的“非法活动”。据 Korea Herald 消息，三星工会主席崔承浩表示，过去四个月已有约 200 名员工跳槽至 SK 海力士。 如此高额的奖金发放规模，与近年境况形成巨大反差。2023 年存储芯片市场低迷，三星芯片部门全年营业亏损，2024 年未发放任何绩效奖金；同期 SK 海力士的奖金比例也大幅缩水。此次行业回暖，几乎完全得益于高带宽内存（HBM）及其他人工智能专用存储产品需求的暴涨。 SK 海力士与三星员工的巨额潜在奖金在韩国引发了罕见的公众反对声浪。匿名职场论坛 Blind 上有网友发帖称，受益于国家基础设施投入及《K-芯片法案》20% 税收抵免政策的企业，应更广泛地分享利润。据估算，两家公司过去两年累计获得的税收优惠总额约 20 万亿韩元（现汇率约合 931 亿元人民币）。 展望未来，员工奖金有望进一步攀升。投资银行麦格理预测，SK 海力士明年营业利润将达到 447 万亿韩元（现汇率约合 2.08 万亿元人民币）。按照现行 10% 的利润分红协议，员工人均奖金将突破 10 亿韩元（现汇率约合 465.5 万元人民币）。
受益于人工智能存储芯片需求激增，SK海力士一季度净利润达40.346 万亿韩元，同比大涨398%，创下历史纪录。作为英伟达的核心供应商，SK海力士季度净利润飙升近五倍，主要由高端存储芯片需求暴涨驱动。（新浪财经）
一场由AI驱动的存储超级周期正在全球范围内加速演进。海外市场率先作出反应。近一年来，存储巨头闪迪股价涨幅超28倍，西部数据股价上涨超9倍，美股存储板块成为本轮AI硬件行情中最亮眼的赛道之一。这一热度迅速传导至A股，近一年来，存储板块个股股价不断攀升，2026年4月，佰维存储、江波龙、德明利等个股轮番创出年内新高。板块的强势表现迅速传导至公募基金。Wind数据显示，截至4月17日，广发远见智选混合A年内回报达85.79%，在全市场基金中高居榜首。同期，华商均衡成长A、国寿安保产业升级A年内收益均超50%。多只重仓存储赛道的基金净值集体创出新高。（证券是吧）
作者 | 乔钰杰 编辑 | 袁斯来 近期，深圳远见智存科技有限公司发布其HBM3/3e高带宽存储芯片产品，提供12GB与24GB两种容量规格，带宽达819GB/s，对标JEDEC国际标准体系。 远见智存HBM3/3e产品规格（图源/企业） HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储）被视为当前AI算力体系中的关键组件之一。在大模型规模持续扩大、训练与推理负载提升的背景下，算力芯片与内存带宽之间的瓶颈问题愈发突出，业内通常将其称为“内存墙”。 HBM通过多层DRAM裸片堆叠及TSV（硅通孔）互连，实现较传统DDR更高的带宽与单位面积容量，已成为AI加速器与高性能计算系统的主流配置之一。据YOLE预测，2026年全球HBM市场规模将突破460亿美元，2030年有望接近1000亿美元，年复合增长率约33%。 此前，全球HBM市场长期由SK海力士、三星、美光三家厂商主导，占据超过95%的市场份额。 近年来，中国HBM相关产业链技术实力显著提升，市场普遍认为的多项瓶颈正在逐步突破，在这一背景下，远见智存的产品推进可视为国内厂商在HBM领域的重要阶段性进展。 此次发布的HBM3/3e产品，采用1024bit数据总线设计，相较DDR5的64bit接口实现数量级提升。产品具备两大差异化优势：其一，通过优化核心电路电压域设计，整体功耗降低20%；其二，采用TSV冗余性布局和可修复性设计，芯片制造良率提升约8%，可实现同等产能下节省近十分之一的晶圆成本。 远见智存HBM3/3e产品优势（图源/企业） 团队方面，远见智存成立于2023年，专注于高带宽存储芯片（HBM），创始团队自2016年前后即开始参与上一代HBM技术研发，是最早一批进入该领域的工程团队之一 。目前公司在国内设有多个研发中心，团队成员包括来自美光、尔必达等存储厂商的工程师，具备一定国际化背景。 业务模式上，公司采用“芯片设计+晶圆代工+封装测试”的Fabless模式，整套供应链均由中国供应商配套完成。值得注意的是，当前，国内存储芯片设计公司仍以传统DRAM为主，高端HBM领域参与者相对有限。 在此背景下，远见智存的HBM产品设计已覆盖从DRAM Die到Base Die的完整链路，且完整持有相关逻辑与存储部分的知识产权，核心研发设计能力较为突出。 应用侧，公司当前HBM3/3e产品已可应用于AI全产业的训练与推理场景。随着AI算力需求外溢，HBM也开始向车载计算、边缘设备等场景探索。目前远见智存已着手进行面向汽车车载、移动穿戴、具身智能及无人设备等场景的定制化开发，未来，低功耗、高可靠性、小容量高带宽等多元化产品将逐步落地。 从技术演进看，HBM仍在快速迭代。公司披露的产品演进路线显示，2027年将推出定制版HBM及HBM+HBF融合架构，面向大模型推理提供TB级容量方案；2028年计划推出HBM4/4e，单颗带宽提升至2.5TB/s；2029年规划推出HBM5及存内计算产品，探索“计算靠近数据”的架构方向。 远见智存 产品规划路线图（图源/企业）