IT之家 5 月 6 日消息，与三星电子关系密切的韩国芯片设计服务企业 ADTechnology 近日宣布，其从一家美国 Fabless 企业处获得了价值 400 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 1.84 亿元人民币）的 AI HPC SoC 芯粒“交钥匙”订单。 该芯片将 采用三星晶圆代工的 4nm 工艺制程 ， 配合“新一代”HBM 内存和 2.5D 异构集成先进封装技术 ，计划 2026 年流片、2028 年大规模量产。 IT之家注意到，ADTechnology 还在今年 4 月宣布携手美国合作伙伴 Kenyi 打造边缘服务器 HPC 解决方案，结合该企业的 2nm 高性能 CPU 设计 ADP620 与 Kenyi 的 DPU。
IT之家 5 月 6 日消息，据台媒《经济日报》今日报道，台积电 (TSMC) 已启动其位于中部科学工业园区的 Fab15A 晶圆厂升级计划。该厂当前的主要工艺为 28/22nm 成熟制程， 初步将升级至 4nm ，以满足 AI / HPC 芯片的持续需求。 Fab15A 现有的成熟制程设备预计将迁移至台积电与欧洲合作伙伴共同建设的 ESMC 德国德累斯顿晶圆厂。ESMC 的主要工艺就包括 28/22nm 平面 CMOS（以及 16/12nm FinFET），计划 2027 年开始初步生产。 从 28/22nm 升级到 4nm 不仅要更换设备也需对无尘室进行调整改造。业内人士预计 Fab15A 工艺升级总共开支将超过 1000 亿新台币 （IT之家注：现汇率约合 216.5 亿元人民币）。 台积电在中部科学工业园区还设有以 7nm 为主的 Fab15B 晶圆厂，而面向尖端制程的 A14 新厂也在建设之中。
IT之家 4 月 27 日消息，集成电路 IP 开发商 M31 円星科技本月 23 日宣布， 其 eUSB2V2 接口 IP 已于台积电 N2P 制程工艺完成流片 。该 IP 针对 N2P 平台特性进行设计、电路、布局多层级协同优化，以提升整体性能与能效，兼顾面积利用率与系统整合弹性。 eUSB2V2 在与既有 USB 2.0 生态兼容的同时支持 1.2V / 0.9V 低电压操作，最高可支持 4.8Gbps 的传输速率。其搭配 N2P 工艺， 预期在标准操作模式下功耗低至 50mW ，适合 AI、HPC、移动设备等追求高性能与低功耗平衡的应用。 M31 总经理张原熏表示： 2nm 接口 IP 需贴合工艺平台，方能提升设计效率，并加速上市时程。M31 此次完成 eUSB2V2 IP 于 TSMC N2P 工艺的流片，正是以平台导向为核心，协助客户更有效率地导入关键接口、缩短从设计推进到量产准备的时间，并强化 2nm 节点的整体竞争力。
IT之家 4 月 23 日消息，Tesla（特斯拉）CEO 埃隆 · 马斯克 (Elon Musk) 在公司 2026Q1 财报电话会议上表示，Terafab 计划导入英特尔代工的 Intel 14A 先进逻辑制程工艺。 马斯克称 尽管 Intel 14A 当前尚未完全定型 ， 但到 Terafab 垂直整合晶圆厂投产时这项工艺应该已经相当成熟或准备就绪 ，这样看来选择 Intel 14A 工艺似乎是一项明智之举。 而在 Terafab 项目推进的同时，特斯拉将率先在其得州超级工厂园区内建设研发晶圆厂，投资规模约 30 亿美元（IT之家注：现汇率约合 205.16 亿元人民币），月产能在数千片晶圆水平，为 Terafab 打下基础。
IT之家 4 月 23 日消息，台积电 (TSMC) 美国当地时间 22 日举行了 2026 年北美技术论坛，其中在尖端逻辑制程方面该企业揭示了 A14 后的 A13、A12 尖端工艺，这两项技术均将于 2029 年量产。 A13 是对 A14 的直接光学收缩，在设计规则与 A14 完全向后兼容的同时节省了 6% 的面积。此外其通过设计与技术协同优化，提供了额外的能效及性能提升。 而 A12 是台积电在 A16 后的新一代的超级电轨 (Super Power Rail) 背面供电工艺，面向 AI / HPC 应用场景。 ▲ 图源：台积电 台积电还宣布了 2nm 平台的演进版本 N2U ，其速度较 N2P 提升 3-4% 或功耗降低 8-10% ，逻辑密度提升 2-3%，预计于 2028 年开始生产。一并推出的还有首款采用 GAA 的车用制程技术 N2A ，其在相同功耗下速度较今年投产的 N3A 提升 15-20%，预计于 2028 年完成 AEC-Q100 验证。 在相对成熟的逻辑工艺方面，台积电今年将率先将高压技术引入 FinFET 晶体管技术，带来面向 DDIC 的 N16HV 制程技术。这项工艺相较 N28HV 栅极密度增加 41%，功耗降低 35%。
IT之家 4 月 22 日消息，中国台湾地区半导体企业力晶积成电子制造股份公司（力积电、PSMC）昨日举行 2026 年第 1 季度线上法人说明会。该企业会上表示 已与美光启动 1P 制程 DRAM 内存的联合研发 ，预计 2027Q1 导入设备、2028H1 试产、2028H2 量产。 IT之家了解到，1P 制程的单位晶圆产出是力积电现有工艺的 2.5 倍，可为力积电未来利基型 DRAM 业务的发展打下坚实技术基础。 而力积电受美光委托的 PWF（后端晶圆制造）业务则预计 2026Q3 启动设备导入、2026Q4 试产、2027Q4 量产，目标月产能 2 万片晶圆。 力积电将 3D AI Foundry 视为重要的未来业务增长点，其 高密度电容 IPD（整合式被动元件）2.5D 中介层已通过国际大厂认证 ，即将量产；WoW 四层晶圆堆叠认证进程顺利，有望 2027 年小规模量产。 该企业已在今年 1 月上调了 12 英寸 DDI 与图像传感器代工价格，涨幅在 10% 以上；而在今年 4 月又大幅提升了 NAND 闪存晶圆代工的投片价格。其有望在年内完成 MLC NAND 工艺开发，2027H2 可供客户设计定案.
IT之家 4 月 17 日消息，据中国台湾地区媒体《电子时报》今天报道，台积电最近召开 2026 年第一季度财报法人说明会，介绍 1nm 及以下先进制程工艺规划情况。 据报道，台积电正在台南科学园区规划 A10 晶圆厂，其中 P1-P4 用于开发 1nm 及以下先进制程， 2029 年起试产 ，初期月产能预计可达 5000 片晶圆。 同时，台积电将在新竹宝山 P1-P2 工厂发展 2nm 制程，P3 工厂则以 2nm、A14 为主，预计今年年中完工。目前公司的“One Team”团队将逐步进驻，P4 厂仍在规划中。 美国亚利桑那 F21 晶圆厂方面，P1 工厂将应用 4nm 制程，月产能约 2-2.5 万片晶圆。P2 厂则是 3nm，第三季度引入设备；P3-P5 工厂分别规划 2nm、A16（1.6 纳米）、A14（IT之家注：1.4 纳米）工艺，近期已经动工。
IT之家 4 月 17 日消息，代表性的成熟制程企业联华电子（联电，UMC）宣布将 于今年下半年调整晶圆代工服务价格 。 作为纯成熟制程龙头，联电表示其看到通信、工业、消费电子、人工智能等广泛领域的需求持续强劲。这一势头推动联电全产品线产能持续紧张，且供不应求的局面日益加剧。为满足这一需求，联电持续提升制造效率，加大技术与产能投入。 额外的投资和原材料、能源、物流等领域成本的上升推动联电做出此次代工价格调整 ，具体涨幅将根据联电的产品组合策略、产能协议、长期合作伙伴关系等因素制定。
IT之家 4 月 16 日消息，据“红旗研发新视界”公众号今日分享，当前，车规级大算力芯片已成为智能网联汽车的核心竞争高地，但高端芯片依赖进口、供应链风险突出，制约产业高质量发展。 在此背景下，中国一汽研发总院联合行业伙伴， 成功研制出国内首颗车规级先进制程多域融合芯片 ——“红旗 1 号” ，并实现了“红旗 1 号”的自主研制，降低了对进口芯片的依赖。 据介绍，“红旗 1 号”并非传统意义上的单一功能芯片， 而是一款面向智能汽车中央计算架构的多域融合处理器 。其最大技术特色在于，将以往需要多个独立芯片完成的驾驶辅助、智能座舱、车身车控、通信与安全五大功能域，集成到一颗芯片上，真正实现了“舱、驾、控”一体化。 IT之家附“红旗 1 号”核心亮点如下： 在逻辑计算能力上， “红旗 1 号”较行业主流域融合芯片（如 SA8775）提升 21.7%，图像处理能力提升 15.4% ，能够高效支持“一芯多屏、多系统并行”的复杂座舱场景，为未来更高阶的智能座舱与自动驾驶融合预留充足算力冗余。 芯片内置独立安全岛，硬件级隔离， 支持功能安全最高等级 ASIL-D，同时满足国密二级信息安全要求 。这意味着，即便在极端故障模式下，芯片仍能保证关键控制信号不丢失、系统不瘫痪，为整车电子电气架构提供坚固的安全底座。 红旗官方表示，“红旗 1 号”的成功研制，不仅是技术层面的突破，更带来切实的产业效益。通过多域融合大幅减少整车电子控制单元（ECU）数量与线束复杂度，降低整车系统成本与开发周期。 自主可控的高性能芯片解决方案，也使主机厂在面对全球芯片价格波动时有了更多主动权 。
据特斯拉网站上的招聘信息显示，该公司正在中国台湾地区招聘一批半导体工程师，以参与其“Terafab”人工智能芯片项目。特斯拉在台发布的工程岗位涵盖了多个核心的前端制造步骤，包括光刻、蚀刻、薄膜制作和化学机械抛光，以及良率工程和工艺集成。在职位要求中显示，有几项职位要求应聘者需要具备“在7纳米以下先进芯片制造节点以及2纳米级技术方面的经验”。目前，马斯克正在快马加鞭筹备Terafab半导体项目。知情人士透露，特斯拉的目标是在2029年开始芯片制造，然后逐步扩大规模。（财联社）
台积电表示，3纳米制程出货占公司2026年第一季晶圆销售金额的25%，5纳米制程出货占全季晶圆销售金额的36%；7纳米制程出货则占全季晶圆销售金额的13%。总体而言，先进制程（包含7纳米及更先进制程）的营收达到全季晶圆销售金额的74%。（界面）